Российская ЭКБ класса space, часть 2

[спец]

И еще 2 полезных статьи:
1. https://habr.com/ru/articles/698176/
2. https://habr.com/ru/articles/156049/
Настоятельно рекомендую к прочтению и осознанию.

[Serge V Iz]

Многократно цитируемая работа:

DOI:10.1109/IRPS.2011.5784522
Corpus ID: 28319856
The impact of new technology on soft error rates
A. Dixit, A. Wood
Published in IEEE International... 10 April 2011
Engineering, Computer Science

С картинкой:

Вы не можете просматривать это вложение.

Это "общая тенденция" для условной одной и той же топологии.

По мнению TSMC, для м/сх динамической памяти, где высокая плотность практически независимых элементов и структура SEU-эффекта проста, сейчас даже обычный свинцовый припой достаточно радиоактивен, чтобы вызывать сбои. И необходимы всякие low-alpha lead free способы монтажа микросхем )

Это всё, разумеется, не учитывает миниатюризацию электроники с сокращением её площади, экранирование всякие sec-ded и dec-ted и т.д. Конкретные изделия из-за этих прочих факторов могут отличаться данной характеристикой от "общей тенденции" на многие порядки. )

"Слухи", скорее всего имеют ввиду показатель "частота событий на бит", которая, с уменьшением площади этого бита, естественно, снижается. )

[blik]

"Слухи", скорее всего имеют ввиду показатель "частота событий на бит", которая, с уменьшением площади этого бита, естественно, снижается. )

Конечно нужно сравнивать радиационную стойкость одинаковых или близких по функциональности/производительности чипов. 

[Serge V Iz]

"Слухи", скорее всего имеют ввиду показатель "частота событий на бит", которая, с уменьшением площади этого бита, естественно, снижается. )

Конечно нужно сравнивать радиационную стойкость одинаковых или близких по функциональности/производительности чипов.

Ну... см. последнюю колонку. (А они, массовые м/сх, будут одинаковыми, при сильно разных нормах? Нет, конечно же, по целому ряду существенных причин.  )

[blik]

Многократно цитируемая работа:

DOI:10.1109/IRPS.2011.5784522
Corpus ID: 28319856
The impact of new technology on soft error rates
A. Dixit, A. Wood
Published in IEEE International... 10 April 2011
Engineering, Computer Science

С картинкой:

С самого начала статью столкнулся вот с этим.

The Impact of New Technology on Soft Error Rates
Anand Dixit[1] and Alan Wood[2]
[1] Systems Group, [2] Oracle Labs
Oracle Corporation
Santa Clara, CA USA
[1] 408-276-6335 anand.x.dixit@oracle.com, [2] alan.wood@oracle.com
Abstract—This paper presents the impact of new microprocessor
technology on microprocessor soft error rate (SER). The results
are based on Oracle's (formerly Sun Microsystems) neutron
beam testing over the past several years. We describe how the
tests were conducted and how the test results are used to
influence microprocessor design. As microprocessor feature sizes
decreased from 180nm to 65nm, memory error rates per bit
decreased, but our data indicates a reversal of this trend at 40nm.
Flop error rates still appear to be decreasing, even at a 28nm
feature size We measure SER as a function of power supply
voltage (Vdd) over a range of 1.2V down to 0.5V, and the data
shows SER significantly increases as Vdd decreases. This result
implies that dynamic voltage frequency scaling (DVFS), a
commonly used microprocessor energy reduction technique,
could cause a significant decrease in microprocessor reliability.
The data also show that more energy-efficient transistors using
back bias technique do not appear to significantly impact
microprocessor reliability.

1. Какое отношение к электронике класса спэйс имеет тестирование на нейтронных пучках?
2. Заявлялось, что аномальное увеличение радиационной устойчивости наблюдается на техрпоцессах существенно ниже 40нм, тестируемых в статье

[pkl]

Придётся создавать рынки внутри России и дружественных ей стран.

для этого надо увеличить население этих стран на 2млрд человек минимум

Кажется, начинает получаться. 

[pkl]

Беда некоторых товарищей, что даже на фоне 16 (или сколько там уже) тысяч санкций, на фоне торговых войн США и Китая они все еще верят, что "рыночек сам порешает" главное иметь конкурентный товар и 16к санкций не помеха.Что это если не наивность.. Я понимаю, когда в это верила наивная советская интеллигенция на заре 90-х.Но говорить такое на серьезных щах в 2023 - это какой то позор.

Вообще, айфоны возят к нам в серую. Как и "индийский" газ в Европу. Рыночек как раз порешал, просто добавив несколько дополнительных звеньев в торговых цепочках. Так что, пока есть лохи, готовые платить втридорога за тот же самый товар, всё будет работать.

[Serge V Iz]

Заявлялось, что аномальное увеличение радиационной устойчивости наблюдается на техрпоцессах существенно ниже 40нм, тестируемых в статье

Уменьшение элементов, и утончение диэлектриков может давать свои эффекты, например, в стойкости к накопленной дозе (например, накопленному в диэлектрике заряду, который с вышеуказанным хуже накапливается и лучше рассасывается). Но они
а) сильно зависят от конкретных техпроцессов, и
б) не такого масштаба величины, как критический заряд (величина заряда, вызывающая переключение значения элемента)

По п. б) имеется экспоненциального характера зависимость роста SER от обратной величины критического заряда. И вот в "самых мелких" техпроцессах типа DRAM мы уже и до́жили до того, что даже бытовые субстанции (изотопы свинца из припоя) мешают работать. )

[Salo]

https://svpressa.ru/science/article/430841/

Невероятное-8: Русский «космический» чип для США страшнее атомной бомбы
Российская радиационно-стойкая микроэлектроника очень быстро догоняет американскую

Никита Ростовский

 Зеленоградский нанотехнологический центр сообщил о начале выпуска новой микросхемы 5344ХЕ025 — радиационно-стойкого бесконтактного датчика тока с линейным аналоговым и цифровым выходами.
Речь идет о чипе, предназначенном для контроля и регистрации электрического тока, как постоянного, так и переменного с полной гальванической развязкой измеряемой и измерительной цепей для использования в бортовой аппаратуре космических аппаратов. Это говорит о том, что наша страна вошла в клуб стран, способных производить радиационно-стойкую микроэлектронику.
Мало кто знает, что до 2022 года в России практически не выпускались «космические» чипы, которые, кстати, применяются в РЭБ, в том числе в окопных «глушилках», которые очень нужны фронту. Да и в беспилотниках они тоже нужны как воздух, прежде всего в РЛС ближнего действия, работающих в диапазоне частот 22−25 ГГц.

Мировой рынок радиационно-стойкой микроэлектроники контролируют американцы, которые буквально помешались на антироссийских санкциях. Впрочем, и до 2022 года янки ввели запрет на продажу нашей стране «космических» чипов. Но именно здесь у нас есть все предпосылки догнать США, причем в кратчайшие сроки.
Не секрет, что передовые технологические процессы производства микросхем 5−15 нанометров уязвимы к факторам космического пространства. На сегодня лучшие радиационно-стойкие чипы в Тайване изготавливаются по техпроцессу 65 нанометров, но в очень небольших объемах. Дело в том, что себестоимость этой микроэлектроники в сотни, а то и в тысячи раз превышает отпускную цену коммерческих «земных» моделей.
Объясняется это тем, что космос — это очень суровая среда для чипов. Помимо смертельной радиации, убийцами микросхем являются вибрация, сильные перепады температур, ЭМИ и запредельные перегрузки при запуске.
О том, как в реальности (а не в статьях наших всепропальщиков) обстоят дела с «космическими» чипами в США, рассказал научный эксперт Самуил Мур, редактор отдела полупроводников издания IEEE Spectrum.
Основным и по факту единственным предприятием Соединенных Штатов по выпуску радиационно-стойкой микроэлектроники является литейный завод SkyWater Technology в Блумингтоне (штат Миннесота), работающий строго для Министерства обороны, которое в свою очередь снабжает НАСА и другие частные «космические» компании, включая Илона Маска.
Ежедневно из казны США этому предприятию просто так — без всяких требований — перечисляется $ 170 млн. Плюс еще Пентагон покупает «космические» чипы по бешеным ценам, что и позволяет чипмейкеру развиваться не по рыночным механизмам (плевок в сторону иуды Чубайса).
По словам Самуила Мура, основная линейка радиационно-стойкой микроэлектроники завода SkyWater производится по 350 (!!!) нм техпроцессу на 150-миллиметровых кремниевых пластинах, который впервые был применен компанией Intel еще в 1994 году. С 2023 года монополист стал переходить на 200 мм диски. Но причина кроется не в снижении себестоимости, как кажется на первый взгляд.
Главный технолог SkyWater Майкл Холмс пояснил: «Не столько с объемом, сколько с цепочкой поставок. Инструменты, предназначенные для 150-миллиметровых пластин, и детали, необходимые для обслуживания этих инструментов, становится все труднее добывать». Он пояснил, что «пока фабрика производит чипы по старому процессу», поскольку новый (на 200 мм пластинах) потребует серьезной модернизации, связанной с перестройкой химических рецептур, настройкой сотен параметров процесса и с обширным тестированием.
Прямо сейчас янки приступают к отдельной модернизации, результатом которой станет 180-нм радиационно-стойкий технологический процесс, который существенно удвоит плотность транзисторов в чипах для ядерного оружия. Отдельно Пентагон выделяет для SkyWater Technology Foundry засекреченный объем денег на разработку 90-нанометрового технологического процесса для радиационно-стойких чипов и расширения возможностей производства медных межсоединений.
С медными соединениями, как пояснил Майкл Холмс, придется помучиться, а без них нельзя перейти к «65 и 45 нм». Вопреки болтунам, которые орут об огромных людских ресурсах, необходимых для научных прорывов, в команде разработчиков работает персонал численностью 50 человек, но все на вес золота. Других в США попросту нет.
А что у нас? В начале сентября в рамках ВЭФ министр промышленности и торговли РФ Антон Алиханов сообщил, что в рамках реализации дорожной карты по созданию отечественного фотолитографического оборудования уровня 350−90 нм в 2026 году будет создан литограф для работы на топологиях 130 нм.
Позитивно, что все идет по плану: прошедшим летом без громких слов и в соответствии с планом подошел к концу 3 этап, в ходе которого на специализированной площадке «ЗНТЦ» завершилась отработка (!!!) базового технологического процесса на опытном образце установки с топологическими нормами 350 нм.
Для подтверждения работоспособности русского литографа были проведены технологические испытания тестовых структур, изготовленных на опытном образце, а затем выполнена его наладка. Работы, кстати, ведутся совместно с белорусской компанией ОАО «Планар».
Как пояснил пресс-центр «ЗНТЦ», до конца года планируется завершить очередной этап, в том числе провести предварительные и приемочные испытания опытного образца установки, а также разработать комплект рабочей технологической документации на БТП для серийного оборудования.
Одновременно разрабатывается установка с разрешением 130 нм, в частности, ООО «Лассард» разработан эксимерный лазерный источник для степпера, завершены приемочные испытания. Эти работы завершатся в 2026 году.
Понятно, за русскими литографами на мировом рынке выстроится очередь, поскольку янки «люто жмотятся» и не разрешают голладцам из ASML продавать оборудование третьим странам, прежде всего Северной Корее и Ирану.
Ох, как дорого американцам обойдется поддержка бандеровцев, считают независимые научные эксперты США.

[Salo]

https://svpressa.ru/science/article/424795/

Невероятное-5: Российский «метеоритный» прорыв в силовой электронике
РФ имеет и желание, и возможности догнать и перегнать США в производстве карбид-кремниевых транзисторов

Никита Ростовский

Производитель микроэлектроники ГК «Элемент» привлек кредит от госкорпорации «ВЭБ.РФ» в размере 15 млрд рублей для финансирования создания серийного производства компонентов силовой микроэлектроники, сообщили в пресс-службе компании.
Судя по всему, речь идет о создании в РФ специализированного чипмейкера в Зеленограде, где находится завод «Микрон». Во всяком случае, такое предположение напрашивается из сообщения ГК «Элемент»: «Новое предприятие станет первым в России крупным серийным производством кристаллов силовых диодов и транзисторов на основе кремния и карбида кремния с использованием современных технологий изготовления силовых устройств. Проектная мощность позволит выпускать до 140 тыс. пластин в год».
Согласно прогнозам, это позволит удовлетворить до 70% потребностей российского рынка в силовой электронике к 2030 году, тогда как на сегодня этот показатель составляет не более 2%, что в перспективе следующих шести лет значительно повысит уровень локализации силовой электронной компонентной базы (ЭКБ).
По словам заместителя председателя «ВЭБ.РФ» Даниила Алгульяна, «запуск проекта критически важен не только для самой отрасли, но и является фактором успеха целого ряда проектов по другим направлениям: транспортное машиностроение, авиастроение, энергетика и др. В рамках проекта будет создано высокотехнологичное производство мирового уровня».
Отдельно отметим, что в России имеется достаточно мощная научная школа по силовой электронике, однако в большинстве случаев опытные разработки дальше лабораторий не пошли. Было невыгодно, но введенные Западом санкции, по сути, заставили наших чиновников обратить внимание на отечественные достижения, в том числе в области силовых диодов и транзисторов на основе карбида кремния.
Мало кто знает, что почти нигде в природе больше, кроме как в метеоритах, это бинарное химическое соединение кремния с углеродом не встречается. Его получают только синтетическим путем в виде кристаллов, причем известно более 200 вариантов карбида кремния, и все они обладают своими уникальными физическими характеристиками, правда, сегодня только три могут использоваться для электронных устройств — 4H и 6H. Кстати, из-за невероятной прочности его используют даже в бронежилетах.
Как известно, кремниевые чипы, даже в так называемом «космическом» исполнении, выходят из строя при 175 градусах по Цельсию, тогда как транзисторы на основе карбида кремния способны работать до 900. Значит, через них могут проходить более мощные токи, особенно это актуально для РЭБ.
Эксперты поясняют, почему, несмотря на бешеный спрос со стороны рынка, чипы, да и вообще ЭКБ на основе карбида кремния, уступают место кремнию. Оказывается, сильные стороны этого «метеоритного» материала вносят свой вклад и в его слабые стороны, то есть чрезвычайно сложно производить пластины из карбида кремния необходимой чистоты. Между прочим, советские ученые были впереди планеты всей в этой области.
У нас мало кто знает, что еще в 1956 году в ИМЕТ им. Байкова АН СССР методом Чохральского были выращены первые в СССР монокристаллы германия, после чего началось их промышленное производство. А весной 1958 года в СССР изготовили кремниевую солнечную батарею, которую впервые в мире установили на борту искусственного спутника Земли ИСЗ-3. Она оказалась намного надежнее, чем солнечная батарея, созданная американцами и выведенная в космос в том же 1958 году.
Прорыв микроэлектроники в США произошел благодаря работам советских ученых Юрия Таирова и Валерия Цветкова, которые модифицировали процесс Чохральского и устранили его недостатки. Был предложен техпроцесс, позволяющий вырастить один большой кристалл одного политипа, причем высокой чистоты. В качестве примера приводились опыты по выращиванию карбида кремния со скоростью несколько миллиметров в час.
Россия могла бы стать лидером в производстве кремниевых пластин, но «эффективные» менеджеры, ставленники Запада, уехавшие в 2022 году в Израиль и Америку, смогли закрыть целый ряд производств, прикрываясь тем, что «покупать за границей дешевле». Хуже того, они предлагали заведомо тупиковые проекты, на которые выделялись огромные деньги.
Только Постановлениями Правительства РФ от 17 февраля 2016 года № 109 и № 110 были утверждены Правила предоставления субсидий из Федерального бюджета российским организациям, реализующим комплексные проекты в рамках Госпрограммы Российской Федерации «Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности на 2013- 2025 годы», что и реанимировало многие почти завершенные проекты в материаловедческих сегментах полупроводниковой, оптической и лазерной отраслей промышленности.
Сейчас в России имеется целых ряд установок по выращиванию кристаллов на основе кремния, в частности, УВК-300 (Москва), «Кедр 221» УМК 090 (Красноярск), «Редмет-90М» (Москва), которые в той или иной мере созданы на базе технических решений установки «Редмет-60».
Добавим, что многие западные компании все еще работают над выпуском пластин большего диаметра: 200 и 300 миллиметров, да и процент брака не совсем такой, как хотелось бы американцам и тайваньцам.
Эксперт из Тайбэя Джонни Ю пишет: «Получение пластин в соответствии со стандартом чистоты, вероятно, является самой большой, но не единственной проблемой.
Например, резать пластины можно только синтетическими алмазами, что увеличивает общую стоимость. Кроме того, чистый карбид кремния является изолятором, поэтому его необходимо легировать для проведения электричества. Но для диффузии легирующих добавок в карбид кремния требуются очень высокие температуры, достичь которых очень сложно".
Американцы, к слову, не смогли преодолеть все трудности изготовления карбид-кремниевых транзисторов, уверен Джонни Ю.
Впрочем, было бы глупо недооценивать производителей из США, по сути, западных монополистов в разработке и производстве силовой электроники. Так, чипы MOSFET из карбида кремния были впервые представлены на рынке в 2010 году компанией Cree из Северной Каролины и до сих пор являются примером для подражания.

[nonconvex]

Никита Ростовский
Ежедневно из казны США этому предприятию просто так — без всяких требований — перечисляется $ 170 млн.

У автора определенно в зобу дыханье сперло. 170 млн в день - это же 62 миллиарда в год, да еще и "просто так"? Ого! Сходил на сайт, а там

October 21, 2019 – SkyWater Technology, the innovator's trusted partner for a competitive edge, announced the U.S. Department of Defense is planning to invest up to $170 million for a multi-phase project to enhance microelectronics capabilities for the DOD and the Strategic Radiation Hardened (Rad-Hard) market. SkyWater will be expanding its Trusted Foundry facility to add clean room area and supporting infrastructure to enable this and other complementary technologies.

Оказывается в 2019 DOD планировал инвестировать ДО 170 миллионов в какой то там проект расширения.
Разгулялось воображение у Никиты Ростовского.

[Salo]

https://finobzor.ru/131979-v-rossii-proizveli-pervye-lazery-dlja-litografii.html

В России произвели первые лазеры для литографии

На предприятии Группы компаний (ГК) «Лассард» были произведены первые в Российской Федерации опытные образцы эксимерного лазера, который является одним из основных элементов, используемых при изготовлении микроэлектроники.

Заместитель министра промышленности и торговли Российской Федерации Василий Шпак подчеркнул, что серийное производство отечественных лазеров может стартовать уже после 2026 года. Предполагается, что в год будет выпускаться не менее пяти единиц подобного оборудования. На сегодняшний день подобные лазеры изготавливают всего две компании. Одна из которых находится в Соединенных Штатах Америки, другая – в Японии, сообщает CNews.

Стоит также отметить, что уже в самое ближайшее время новинка должна будет пройти все необходимые этапы технического тестирования. Данный процесс будет осуществляться на базе «Зеленоградского нанотехнологического центра», который располагается в столице России.

Уточним, что в правительстве Российской Федерации уверены, что лазер от ГК «Лассард» будет довольно востребован на отечественном рынке. Так, среди потенциальных заказчиков можно выделить крупную компанию «Микрон», которая на данный момент является одним из крупнейших производителей микроэлектроники в нашей стране.

Напомним, что электронно-лучевая литография представляет собой один из методов нанолитографии с применением электронного пучка. Движение электронного пучка по поверхности осуществляется изменением токов в отклоняющих магнитных системах.

Ранее мы уже сообщали, что Группа компаний «Бештау» запустила первую российскую линию по выпуску твердых печатных плат.

[Sembler]

Никита Ростовский
Ежедневно из казны США этому предприятию просто так — без всяких требований — перечисляется $ 170 млн.

У автора определенно в зобу дыханье сперло. 170 млн в день - это же 62 миллиарда в год, да еще и "просто так"? Ого! Сходил на сайт, а там

October 21, 2019 – SkyWater Technology, the innovator's trusted partner for a competitive edge, announced the U.S. Department of Defense is planning to invest up to $170 million for a multi-phase project to enhance microelectronics capabilities for the DOD and the Strategic Radiation Hardened (Rad-Hard) market. SkyWater will be expanding its Trusted Foundry facility to add clean room area and supporting infrastructure to enable this and other complementary technologies.

Оказывается в 2019 DOD планировал инвестировать ДО 170 миллионов в какой то там проект расширения.
Разгулялось воображение у Никиты Ростовского.

Никита Ростовский за четыре месяца опубликовал серию из восьми статей "Невероятное-n...", в которых невероятно нафантазировал. Грубую фантазию автора отметил nonconvex.  Утверждение автора по этому же производителю:

Никита Ростовский
Основным и по факту единственным предприятием Соединенных Штатов по выпуску радиационно-стойкой микроэлектроники является литейный завод SkyWater Technology в Блумингтоне (штат Миннесота), работающий строго для Министерства обороны, которое в свою очередь снабжает НАСА и другие частные «космические» компании, включая Илона Маска

В действительности, крупнейшим, но не единственным, производителем радиационно-стойкой электроники в США является довольно известная Sandia National Laboratories. Они имеют свое производство полного цикла MESAFab, а также размещают свои заказы на других "Trusted Foundries": https://www.sandia.gov/mesa/fabrication-testing-and-validation-capabilities/. В 90-х они на основе лицензии INTEL сделали радиационно-стойкий Pentium.
Упомянутый "завод SkyWater Technology..., работающий строго для Министерства обороны" прямо на главной странице своего сайта предлагает продукцию категорий: Aerospace & Defense, Automotive, Consumer, Healthcare, Industrial.
Что касается Илона Маска, которого он приплел, то Маск бравирует тем, что применяет дешевую, чуть ли не бытовую, комплектацию.

Никита Ростовский
SkyWater производится по 350 (!!!) нм техпроцессу на 150-миллиметровых кремниевых пластинах,

https://en.wikipedia.org/wiki/SkyWater_Technology
SkyWater производит полупроводниковые чипы с использованием 90-нанометровой  технологии на оборудовании, предназначенном для обработки 200-миллиметровых кремниевых пластин.

Творчество Никиты Ростовского - примитивные агитки и, похоже, что автор спрятался за псевдонимом.

[nonconvex]

Маск бравирует тем, что применяет дешевую, чуть ли не бытовую, комплектацию.

Не всему бравированию Маска можно доверять.

[Veganin]

https://www.rlocman.ru/news/new.html?di=671589

Чип-резисторы «Росэлектроники» заменят зарубежные комплектующие в космосе

Холдинг «Росэлектроника» разработал технологию создания ультраточных чип-резисторов для поверхностного монтажа на плату. Изделия обладают высокой термостабильностью и температурной самокомпенсацией, что позволяет использовать их в космической, авиационной и другой технике. Новая ЭКБ заместит зарубежные аналоги, в том числе американских производителей.



Сверхпрецизионные чип-резисторы обладают самыми точными параметрами основных рабочих характеристик. Так, например, новые изделия отличаются крайне низким температурным коэффициентом сопротивления (ТКС) – 5 ppm/градус Цельсия и способны работать в диапазоне температур от –55 до +100 градусов по Цельсию. Технология создания таких изделий и макетные образцы в инициативном порядке разработаны НИИ электронно-механических приборов (входит в «Росэлектронику»).

Сверхпрецизионные чип-резисторы обладают самыми точными параметрами основных рабочих характеристик. Так, например, новые изделия отличаются крайне низким температурным коэффициентом сопротивления (ТКС) – 5 ppm/градус Цельсия и способны работать в диапазоне температур от –55 до +100 градусов по Цельсию. Технология создания таких изделий и макетные образцы в инициативном порядке разработаны НИИ электронно-механических приборов (входит в «Росэлектронику»).

Применение комбинированной тонкопленочной резистивной структуры в новых изделиях обеспечивает их температурную стабильность и позволяет добиться высоких показателей по сроку службы в самых разных условиях. Это позволит использовать их в радиоэлектронной аппаратуре космического и авиационного назначения, системах связи и навигации, а также любой другой аппаратуре, где требуется повышенная надежность и сверхмалые габариты.

«Новые отечественные сверхпрецизионные чип-резисторы способны заменить иностранные аналоги, в том числе комплектующие американского производителя Vishay, поставки которых почти остановились в связи с текущей геополитической ситуацией. В настоящий момент НИИЭМП приступило к внедрению полученной технологии в производство», – отметил генеральный директор НИИЭМП Вячеслав Зуев.

НИИЭМП – одно из ведущих предприятий России в области резисторостроения и единственное предприятие в стране по разработке и производству высоковольтных высокочастотных вакуумных коммутирующих устройств и конденсаторов.

[cross-track]

НИИЭМП – одно из ведущих предприятий России в области резисторостроения

Не смог в гугле найти слово "резисторостроение".

[nonconvex]

НИИЭМП – одно из ведущих предприятий России в области резисторостроения

Не смог в гугле найти слово "резисторостроение".

Попробуйте яндекс.

[zandr]

https://nauka.tass.ru/nauka/22999105

Разработаны опытные образцы микросборок для космоса и авиации
НОВОСИБИРСК, 29 января. /ТАСС/. Опытные образцы гибридных микросборок для систем элетропитания в космосе и авиации разработали в Новосибирском государственном техническом университете (НГТУ) в рамках запуска второй очереди Дизайн-центра силовой электроники, первого такого в России. Об этом сообщил журналистам глава центра Сергей Харитонов.

"Мы уже собрали гибридные микросборки, и в этом году, как мы предполагаем, начнется их промышленный выпуск уже не у нас, а на серийных предприятиях", - сказал он, уточнив, что это сделано в рамках второй очереди центра.

По его словам, сейчас готовится уже третья очередь, которую планируется запустить в 2026 году. Харитонов рассказал, что инженеры центра сконструировали микросборки для применения в системах электропитания для космических аппаратов и авиации. Такие сборки представляют собой печатную плату, на которую установлены элементы электроники без корпусов.

Как пояснил глава центра, сборки нужны для отвода тепла. Гибридная микросборка делает такие устройства более компактными и эффективными. Они выступают как преобразователи постоянного тока для спутников, авиатехники, накопителей энергии большой мощности. Промышленный запуск одной из них планируется осуществить в Ижевске. Производство второй планируется в Москве или Новосибирске.

В ноябре 2022 года в вузе открылся первый в России дизайн-центр силовой электроники. В центре ведется разработка, проектирование и изготовление опытных образцов силовых гибридных модулей для аэрокосмического применения.

[Кот Бегемот]

Создан первый отечественный фотолитограф с разрешением 350 нм

 © tass.ru

Компания-резидент ОЭЗ «Технополис Москва» создала первый фотолитограф в России с разрешением 350 нм. Фотолитограф создавался в сотрудничестве с белорусским заводом «Планар».
«В мире меньше десяти стран, способных создавать это ключевое оборудование для производства микросхем. Теперь в их числе — Россия. Сделали важнейший шаг к переходу на собственное производство микроэлектроники и полной технологической независимости государства» — говориться в сообщении.

Также мэр подчеркнул, что отечественный фотолитограф «серьезно отличается от зарубежных аналогов», так как в нем использовался твердотельный лазер в качестве излучения.
Сейчас идет разработка фотолитографа с разрешением 130 нм. Завершить его планируется в 2026 году.

https://sdelanounas.ru/blogs/167425/?utm_source=tg

[Salo]

https://tass.ru/kosmos/23879093

МОСКВА, 7 мая. /ТАСС/. Специалисты Российского технологического университета МИРЭА разработали конструкцию полевого транзистора на основе алмаза, сообщили в пресс-службе Минобрнауки РФ. По мысли его создателей, новый транзистор (прибор, управляющий электрическим током с помощью электрического сигнала через полупроводник) найдет применение в ядерной энергетике и космической технике.
"Новое устройство использует кристаллографически совершенный алмазный слой толщиной менее 1 микрона, созданный методом термохимической обработки. Эта технология позволяет устранить дефекты поверхности, что значительно улучшает электрофизические характеристики", - отметили в пресс-службе.
Как полагает ведущий разработчик, заведующий лабораторией "Алмазная СВЧ-электроника" Андрей Алтухов, транзистор сможет продемонстрировать на 10-15% лучшую производительность по сравнению с существующими аналогами. "Ключевое преимущество - сочетание высокой термостойкости, радиационной устойчивости и энергоэффективности", - отметил конструктор.
Алмазные транзисторы найдут применение в системах связи нового поколения, радиолокационных станциях, медицинском оборудовании и промышленной электронике. Разработка особенно актуальна для применения в экстремальных условиях - от космической техники до ядерной энергетики, где обычные кремниевые транзисторы быстро выходят из строя.