Российская ЭКБ класса space, часть 2

[Sembler]

Ваша лошадь отстала от реальности.

Если бы Вы прочли хотя бы абзац до конца или почитали написанное мной еще два назад https://forum.novosti-kosmonavtiki.ru/index.php?msg=2823078, Вам бы не пришлось трудится в написании поста.

[cross-track]

https://3dnews.ru/1138660/uchyonie-sozdali-rentgen-dlya-rabotayushchih-chipov-mechta-inspektorov-i-hakerov

Учёные создали «рентген» для работающих чипов — мечта инспекторов и хакеров
20.03.2026 [22:08],  Геннадий Детинич
Международная команда ученых из Университета Аделаиды (Австралия), компании Virginia Diodes (США), Института Хассо Платтнера и Университета Потсдама (Германия) разработала революционную технологию бесконтактного мониторинга работающих электронных чипов. Это что-то типа «рентгеновского зрения» для электроники, позволяющее наблюдать за внутренними процессами в полупроводниках без физического вмешательства, разборки или отключения устройства.

Суть открытия заключается в том, что учёным впервые удалось в реальном времени отслеживать микроскопические перемещения электрического заряда внутри полностью упакованных полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов и других компонентов) с помощью терагерцовых волн. Это безопасное неионизирующее излучение проникает через корпус чипа и регистрирует изменения электрической активности, что ранее считалось практически невозможным без разрушающих методов анализа.

Методика основана на применении терагерцового излучения в сочетании со сверхчувствительной системой «гомодинного квадратурного приёмника» (homodyne quadrature receiver). Такая схема эффективно подавляет фоновый шум и выделяет крайне слабые сигналы, создаваемые движением зарядов в активных областях полупроводника. Разрешение метода позволяет фиксировать явления на масштабах, значительно меньших длины волны терагерцового диапазона, что делает его применимым даже к современным высокоинтегрированным чипам.

Новая технология открывает широкие перспективы в областях энергетики, обороны, аэрокосмической промышленности и кибербезопасности, где требуется надёжная проверка целостности и работоспособности электроники без необходимости разрушающего анализа. Она может стать основой для создания систем с автономной диагностикой и существенно ускорить разработку и верификацию новых полупроводниковых устройств. Примечательно, что никакие встроенные механизмы защиты от взлома не спасут от такого «рентгена», что потенциально открывает новый канал для атак со стороны киберпреступников и может стать серьёзной проблемой.

[Sembler]

https://3dnews.ru/1138660/uchyonie-sozdali-rentgen-dlya-rabotayushchih-chipov-mechta-inspektorov-i-hakerov

Учёные создали «рентген» для работающих чипов — мечта инспекторов и хакеров
20.03.2026 [22:08],  Геннадий Детинич
Международная команда ученых из Университета Аделаиды (Австралия), компании Virginia Diodes (США), Института Хассо Платтнера и Университета Потсдама (Германия) разработала революционную технологию бесконтактного мониторинга работающих электронных чипов. Это что-то типа «рентгеновского зрения» для электроники, позволяющее наблюдать за внутренними процессами в полупроводниках без физического вмешательства, разборки или отключения устройства.

Суть открытия заключается в том, что учёным впервые удалось в реальном времени отслеживать микроскопические перемещения электрического заряда внутри полностью упакованных полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов и других компонентов) с помощью терагерцовых волн. Это безопасное неионизирующее излучение проникает через корпус чипа и регистрирует изменения электрической активности, что ранее считалось практически невозможным без разрушающих методов анализа.

Методика основана на применении терагерцового излучения в сочетании со сверхчувствительной системой «гомодинного квадратурного приёмника» (homodyne quadrature receiver). Такая схема эффективно подавляет фоновый шум и выделяет крайне слабые сигналы, создаваемые движением зарядов в активных областях полупроводника. Разрешение метода позволяет фиксировать явления на масштабах, значительно меньших длины волны терагерцового диапазона, что делает его применимым даже к современным высокоинтегрированным чипам.

Новая технология открывает широкие перспективы в областях энергетики, обороны, аэрокосмической промышленности и кибербезопасности, где требуется надёжная проверка целостности и работоспособности электроники без необходимости разрушающего анализа. Она может стать основой для создания систем с автономной диагностикой и существенно ускорить разработку и верификацию новых полупроводниковых устройств. Примечательно, что никакие встроенные механизмы защиты от взлома не спасут от такого «рентгена», что потенциально открывает новый канал для атак со стороны киберпреступников и может стать серьёзной проблемой.

Не понятны параметры этой "революционной технологии". 1 терагерц=10^12 Герц. Длина волны 300 мкм. С учетом "Разрешение метода позволяет фиксировать явления на масштабах, значительно меньших длины волны терагерцового диапазона", предположу что размерность этой технологии равна 1 мкм=1000 нанометров. Великовато деление на их линейке.

[Павел73]

Практически "миелофон" для микропроцессоров! 

[cross-track]

https://3dnews.ru/1138660/uchyonie-sozdali-rentgen-dlya-rabotayushchih-chipov-mechta-inspektorov-i-hakerov

Учёные создали «рентген» для работающих чипов — мечта инспекторов и хакеров
20.03.2026 [22:08],  Геннадий Детинич
Международная команда ученых из Университета Аделаиды (Австралия), компании Virginia Diodes (США), Института Хассо Платтнера и Университета Потсдама (Германия) разработала революционную технологию бесконтактного мониторинга работающих электронных чипов. Это что-то типа «рентгеновского зрения» для электроники, позволяющее наблюдать за внутренними процессами в полупроводниках без физического вмешательства, разборки или отключения устройства.

Суть открытия заключается в том, что учёным впервые удалось в реальном времени отслеживать микроскопические перемещения электрического заряда внутри полностью упакованных полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов и других компонентов) с помощью терагерцовых волн. Это безопасное неионизирующее излучение проникает через корпус чипа и регистрирует изменения электрической активности, что ранее считалось практически невозможным без разрушающих методов анализа.

Методика основана на применении терагерцового излучения в сочетании со сверхчувствительной системой «гомодинного квадратурного приёмника» (homodyne quadrature receiver). Такая схема эффективно подавляет фоновый шум и выделяет крайне слабые сигналы, создаваемые движением зарядов в активных областях полупроводника. Разрешение метода позволяет фиксировать явления на масштабах, значительно меньших длины волны терагерцового диапазона, что делает его применимым даже к современным высокоинтегрированным чипам.

Новая технология открывает широкие перспективы в областях энергетики, обороны, аэрокосмической промышленности и кибербезопасности, где требуется надёжная проверка целостности и работоспособности электроники без необходимости разрушающего анализа. Она может стать основой для создания систем с автономной диагностикой и существенно ускорить разработку и верификацию новых полупроводниковых устройств. Примечательно, что никакие встроенные механизмы защиты от взлома не спасут от такого «рентгена», что потенциально открывает новый канал для атак со стороны киберпреступников и может стать серьёзной проблемой.

Не понятны параметры этой "революционной технологии". 1 терагерц=10^12 Герц. Длина волны 300 мкм. С учетом "Разрешение метода позволяет фиксировать явления на масштабах, значительно меньших длины волны терагерцового диапазона", предположу что размерность этой технологии равна 1 мкм=1000 нанометров. Великовато деление на их линейке.

Я бегло просмотрел оригинальную статью https://ieeexplore.ieee.org/document/11437556
Там они пишут, что исследуют вначале дискретные элементы (диоды и т.п.), а интегральные схемы - это, возможно, в будущем.
Так, они начинают экспериментальную часть статьи с такого диода:

B. Experimental Validation
To experimentally validate this model, a 1N4007 silicon rectifier diode is exposed to focused terahertz waves through 3D-printed COC collimator and objective lenses shown in Fig. 2(a) and Fig. 2(b), with a 1/e2 spot size of approximately 1.3 mm at 275 GHz, and an expected sub-millimeter depth of focus [34].

Я посмотрел размеры этого диода - он имеет миллиметровый масштаб:

Так что все в порядке, просто журналисты немного забежали в непредсказуемое будущее)

[ОАЯ]

https://www.ixbt.com/news/2026/03/23/v-rossii-gotovjatsja-k-sozdaniju-sobstvennogo-litografa-pod-normy-90-nm.html
Интересно почитать коменты.( В большинстве своем люди в теме).
Еще где-то мелькало, что Зеленоград приступил  (освоил) в небывалых масштабах капсулирование микросхем - на фото металлические корпуса микросхем. Все это радовало бы, если бы была опубликована государственная программа производства микросхем до 2040 года. А так это "прорывы" заканчивающиеся заменой на другие более новые "прорывы".

[ExDi]

Я посмотрел размеры этого диода - он имеет миллиметровый масштаб:

вроде это размерность корпуса DO-41(причем с выводами), а не собственно чипа. 
насколько я представляю, современные мощные дискретные чипы транзисторов, диодов, полевиков etc выполняются как матрицы отдельных элементарных ячеек, объединенных на одном кристалле, - с микрометровыми и субмикрометровыми технологическими нормами. т.е. все не так однозначно ; )

[cross-track]

Я посмотрел размеры этого диода - он имеет миллиметровый масштаб:

вроде это размерность корпуса DO-41(причем с выводами), а не собственно чипа.
насколько я представляю, современные мощные дискретные чипы транзисторов, диодов, полевиков etc выполняются как матрицы отдельных элементарных ячеек, объединенных на одном кристалле, - с микрометровыми и субмикрометровыми технологическими нормами. т.е. все не так однозначно ; )

Если вернутья к первоисточнику, то там найдем:

Since the region of interest corresponding to the semiconductor region is approximately 0.3 mm wide, as seen in the X-ray image of Fig. 3(a), we mount the diode on a scanning stage and acquire a 2D complex S11 image with the VNA mode.

А так выглядит Рис. 3(а):